実験/量産用 プラズマ・真空装置メーカーのアリオス株式会社のダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置

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ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置

概要

ダイヤモンド基板用ヘテロエピ成長装置 本装置はダイヤモンド基板上にヘテロエピ成長をさせることを目的とした特別な MBE装置 です。 MBE装置と違い小さなダイヤモンド基板に対応するため、フェイスアップタイプの基板加熱機構を用い特殊な構造をしたアルミ用分子線セルや RFラジカルビーム源、Si ビーム源などの組み合わせにより、極めて高品質な薄膜の成長が実現できます。
本装置は、ダイヤモンド基板上に薄膜を成長させる、ダイヤモンドに pn 接合を作るなどトランジスタ作成といった構成にすることができます。

弊社の装置は下記に紹介されています。
早稲田大学 川原田先生
東京工業大学 波多野先生実験室紹介に弊社の装置が掲載されています。

研究の利便性を考え、BFM によるフラックス量測定、RHEED による成膜状態などが可能です。 極小のダイヤモンド基板を搬送しヘテロエピ成長、RHEED観測まで一台の装置で真空を破らず行えるよう、様々な工夫を凝らしております。

特徴

  1. フェイスアップでの蒸着が可能です。
  2. アルミ以外にも、下向きで動作するセルを各種用意しています。
  3. 自動運転による成膜作業が可能です。
  4. 超高真空を知り尽くした当社ならではの機能的な配置により、小型ながら性能と使い勝手を確保できます。

仕様

到達圧力 1×10-7 Pa 以下 (成膜室)
排気系 800 L/sec TMP+SCP+N2 シュラウド+TSP
ベーキング温度 MAX 200℃
対応基板サイズ MAX 1インチ
Al セル ルツボ容量 : 5cc
最高温度 : 1000℃
Si ビーム源 取り付けフランジ : CF114
試料サイズ : φ3×L=20mm
RHEED 加速電圧 : 30kV
RHEEDスクリーン
RFラジカルビーム源 13.55MHz、500W
設置スペース 2000mm×800mm

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