実験/量産用 プラズマ・真空装置メーカー アリオス株式会社の-RFラジカルビーム源-

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RFラジカルビーム源 IRFS-504

RFラジカルビーム源 IRFS-504

概要

本ラジカルビーム源は、ICPタイプの RF放電により化学的に活性なラジカルを形成し、差圧によりフラックスを引き出しています。
放電部、引き出し部は高純度PBNで製作しており、活性ガス導入時でも長時間安定動作が行え、かつクリーンな原子・ラジカルビームを得ることができます。特に窒素ラジカル源として、多くの実績を有しています。 また、300W 出力タイプの RFラジカルビーム源 IRFS-301 もございます。
窒化膜の生成については 窒化膜生成 をご覧下さい。

特徴

  1. 放電が目視確認できるビューポートを標準装備しております。
    発光モニターや分光器を使用して、放電状態・励起状態を確認できます。
  2. 完全金属シール、200℃ベーカブル対応により MBE装置 など、各種超高真空装置に使用可能です。
  3. 分子線セルポート取付を前提に設計されているため、往来型の MBE装置に増設できます。
  4. 自動マッチング機構により操作が簡単で、長時間安定した動作が可能です。

仕様

本体仕様

型式 IRFS-504
放電室 PBN製
最大出射口径 φ25mm
ベーキング 最大 200℃ (整合器ケーブル除く)
ガス導入口 1⁄4 VCRTM オス
接続フランジ φ114CF (取付ポートの内径は φ65mm以上 をご用意下さい。)
整合器 自動整合器 (手動コントローラー添付)
冷却方法 ラジカル源部 : 水冷 (0.5 L⁄min 以上)、1⁄4 SwagelokTM 又は Rc 1⁄8 接続
整合器部 : 強制空冷
質量 9.7 kg 

外観寸法図

RF電源仕様

型式 RP-502
電源入力 200V AC単相 50/60Hz
最大消費電力 750W
出力周波数 13.56MHz ± 1kHz
出力電力 0~550W (500W 連続)
出力インピーダンス 50Ω (N型コネクター)
リモート出力制御 0~5V DC外部入力によるリニア制御
出力表示モニタ出力 800W アナログメーター付き 0~5V DCリニア出力
冷却方法 強制空冷
保護機能 過負荷保護機能
高反射による出力制限
外部インターロック
質量 22.0 kg
標準添付品 出力ケーブル (7m)、電源ケーブル (3m)、冷却水用インターロックケーブル (7m)

標準構成

オプション

ラジカルビーム源 ・イオンキャンセル電極
・電源
2枚電極に±500V 印加し、イオン・電子をキャンセルします。
バリアブルリーク バルブ、MFC ガス導入系に制御機器が増設可能です。
ガス種、ガス流量などご注文時にご相談下さい。
分光器 放電状態をモニターします。
RF電源 入力100V 入力電源が 100Vでご使用の場合は選択して下さい。
制御ソフト RF制御ソフト RFコントローラ PCにより RF電源と整合器を制御し、
プラズマを精密にコントロールします。
[ PC動作環境 ]
OS : Windows XP、Vista 又は 7
CPU : Pentium4 又は M 2GHz以上
(Core2Duo 2.6GHz 相当を推奨)
ディスプレイ解像度 : 1024×768 ピクセル以上
メモリ : 1GB 以上 (2GB 以上を推奨)
HDD 空き容量 : 2GB 以上
ポート : USB 2.0 ポート×2
ケーブル ケーブル延長
※ご注文時お問い合わせ下さい。
電源本体、整合器間の出力、コントロールケーブルの延長

高品質窒化膜生成用AM変調システム

MBE装置において、分子線セルシャッタータイミングとラジカル源のRF電力を制御し、励起プラズマモードを適切に選択することにより、高品質な窒化化合物エピタキシャル成長膜形成が可能になります。
このシステムは設定に従いRF電源の出力を HIGH/LOW に繰り返し制御します。繰り返し時間・タイミングの設定も可能です。また、整合器を制御し ミスマッチングを防止します。
参考資料

スパッタ,CVD,ダイヤモンド,各種成膜装置の改造,特殊仕様,修理も承っています。 お問合せは、スパッタ,CVD,ダイヤモンド,各種成膜装置のプラズマ・真空技術の専門メーカーのアリオスへ。