アリオス株式会社 プラズマCVD実験装置


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プラズマCVD実験装置PCVD-R100

プラズマCVD実験装置　PCVD-R100

概要

CVDとは、Chemical Vapor Deposition(化学蒸着装置)の略称で、ガスで原料を供給し、これをプラズマや熱などで分解し、その成分で成膜することを指します。 様々な方式がありますが、よく使われているのは熱あるいはプラズマを使う方法です。プラズマ生成にも周波数の違いによって各種あります。 アリオスでは各種プラズマCVD装置を設計・製造しております。詳細はマイクロ波(2.45GHz)vsRF(13.56MHz)をご参照下さい。
本装置は実験用MO原料対応プラズマCVD装置で、RFプラズマ源、基板加熱機構、ガス供給系、ロードロック室などを搭載しており、各種原料ガスをプラズマ処理し基板上に薄膜を成膜可能です。

特徴

  1. アリオスの高真空技術を駆使しており、クリーンな真空での成膜実験が可能です。
  2. コンパクトチャンバー＋シンプルな構成により、容易にメンテナンスが可能です。
  3. 基板加熱機構は耐熱、耐ガス特性に優れた材料により、長時間安定な加熱が可能です。
  4. 基板導入はロードロック機構により大気開放することなく極めて簡単に、かつ短時間に行えます。

仕様

プラズマ源 RF ： 0～500W 可変＋自動マッチングBOX (誘導結合もしくは容量結合)
反応管 ： φ40×36 石英管
反応室 SUS 304製
ロードロック室 SUS 304製
ハッチポート＋Oリング式トランスファーロッド
基板サイズ ～φ100
基板加熱機構 最高加熱温度 ： 900℃
基板位置 ： 上下可変
電源 ： DC電源＋温度調節器
真空排気系 ロードロック室 ： TMP＋RP
反応室 ： RP＋トラップ
ガス供給系 MFC＋バルブ類
本体架台 キャスター、アジャスター付き
用力 三相 AC200V 60A
単相 AC100V 10A
冷却水 1 L⁄min
※標準仕様以外にも、要求仕様に応じて設計製作致します。
→ 研究開発受託業務・コンサルティング、アリオスのソリューション、メンテナンス・改造

オプション

規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。

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