本装置は、ダイヤモンド合成を本格的に行うためのホットフィラメント型CVD装置です。
基本システムに加え各種オプションを選択することにより、幅広いニーズに対応します。
ダイヤモンドのホモエピタキシャル成長とヘテロエピタキシャル成長が可能です。
高純度のダイヤモンド合成実験が可能な単結晶ダイヤモンド合成用CVD装置「DCVD151シリーズ」や、 生産用途向けに、大面積かつ高速成長を実現したダイヤモンド合成用CVD装置「DCVD301B/601B」などのマイクロ波プラズマCVD装置もラインアップしています。
| 型式 | HFCVD-6FHA | HFCVD-6FV |
| 到達真空度 | 5×10-4Pa以下 | |
| チャンバー材質/形状 | SUS製 横型チャンバー | SUS製 縦型チャンバー |
| チャンバー構成 | 1チャンバー | |
| 排気系 | ターボ分子ポンプ＋ドライポンプ | |
| 圧力調整 | 自動圧力制御器（APC） | |
| 真空計 | フルレンジ真空計＋隔膜真空計（APC用） | |
| 制御方式 | タッチパネル（手動） | |
| フィラメント加熱電力 | 0～1.6kW連続可変（定電流モード、定電力モード）×2 | |
| 基板冷却方式 | 水冷 | |
| 温度測定 | 放射温度計（フィラメント用、基板用 各1台） | |
| ガス供給系 | MFC2系統（H2、CH4）、最大7系統 | |
| 試料ホルダー サイズ／ 移動・回転機構 |
φ80mm 基板回転機構（モーター式：回転数可変0～30rpm） ベローズ式上下移動機構（ストローク50mm） |
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| 基板サイズ（最大） | φ3インチ×1個 | |
| リーク量 | 1.0×10-8Pa・m3/s以下（Oリング透過分を除く） | |
| 本体架台 | キャスター、アジャスター付き（電源部を含む）、重量約200kg | |
| 用力 | 電力：［本体］AC200V 三相 40A、［チラー］AC200V 単相 15A 圧縮空気：0.5MPa、プロセスガス：H2、CH4（1/4"Swagelok or 1/4"VCR） |
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規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。
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