物質をイオン化し、電界によって加速し、基板表面に打ち込む装置をイオン注入装置と呼んでいます。
本装置は金属、有機フィルム、ガラスなどの表面処理のためのイオン注入装置です。イオン源と試料室が直結しているため、イオン源からのガスで IBD (Ion Beam Deposition) も可能な構成となっています。
独創技術と表層改質のノウハウにより、コンパクトで実効性のあるコストパフォーマンスに優れたイオン注入装置を製作しております。
イオン注入法の特徴や実際にイオン注入した炭素材料の特性の変化については資料館:イオンビームとその応用 をご覧下さい。
イオン源 | マイクロ波励起イオン源 |
加速電圧 | ~10kV |
イオン電流 | 2mA |
供給ガス | H2 、N2 、O2 、CH4 、Ar、Ne、etc |
処理面積 | 100cm2 |
処理時間 | 20分 |
ターゲットホルダー | 大きさ:100×100mm θ 及び 自転 |
排気装置 | ロータリーポンプ、油拡散ポンプ |
制御システム | 真空排気/シーケンサー制御 プロセス/手動 |
※標準仕様以外にも、要求仕様に応じ設計製作致します。
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アリオスのソリューション
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