本装置はダイヤモンド基板上にヘテロエピ成長をさせることを目的とした特別なMBE装置です。
通常のMBE装置と違い小さなダイヤモンド基板に対応するため、フェイスアップタイプの基板加熱機構を用い特殊な構造をしたアルミ用分子線セルやRFラジカルビーム源、Siビーム源などの組み合わせにより、極めて高品質な薄膜の成長が実現できます。
本装置は、ダイヤモンド基板上に薄膜を成長させる、ダイヤモンドにpn接合を作るなどトランジスタ作成といった構成にすることができます。
弊社の装置は下記に紹介されています。
早稲田大学 川原田先生
東京工業大学 波多野先生実験室紹介に弊社の装置が掲載されています。
研究の利便性を考え、BFMによるフラックス量測定、RHEEDによる成膜状態などが可能です。 極小のダイヤモンド基板を搬送しヘテロエピ成長、RHEED観測まで一台の装置で真空を破らず行えるよう、様々な工夫を凝らしております。
| 到達圧力 | 1×10-7 Pa 以下 (成膜室) |
| 排気系 | 800 L/sec TMP＋SCP＋N2 シュラウド＋TSP |
| ベーキング温度 | MAX 200℃ |
| 対応基板サイズ | MAX 1インチ |
| Al セル | ルツボ容量 ： 5cc 最高温度 ： 1000℃ |
| Si ビーム源 | 取り付けフランジ ： CF114 試料サイズ ： φ3×L＝20mm |
| RHEED | 加速電圧 ： 30kV RHEEDスクリーン |
| RFラジカルビーム源 | 13.55MHz、500W |
| 設置スペース | 2000mm×800mm |
規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。
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