本機は、ICPタイプのRF放電により化学的に活性なラジカルを形成し、差圧によりフラックスを引き出しています。
放電部、引き出し部は高純度PBNで製作しており、活性ガス導入時でも長時間安定動作が行え、かつクリーンな原子・ラジカルビームを得ることができます。特に窒素ラジカル源として、多くの実績を有しています。
また、300W出力タイプのRFラジカルビーム源 IRFS-301ラインアップしております。
窒化膜の生成については窒化膜生成をご覧下さい。
| 型式 | IRFS-504 |
| 放電室 | PBN製 |
| 最大出射口径 | φ25mm |
| ベーキング | 最大 200℃ (整合器ケーブル除く） |
| ガス導入口 | 1⁄4 VCRTM オス |
| 接続フランジ | φ114CF (取付ポートの内径は φ65mm以上 をご用意下さい。) |
| 整合器 | 自動整合器 (手動コントローラー添付) |
| 冷却方法 | ラジカル源部 ： 水冷 (0.5 L⁄min 以上)、1⁄4 SwagelokTM 又は Rc 1⁄8 接続
整合器部 ： 強制空冷 |
| 質量 | 9.7 kg |
| 型式 | RP-502 |
| 電源入力 | 100V/200V(出荷時指定) AC単相 50/60Hz |
| 最大消費電力 | 800W |
| 出力周波数 | 13.56MHz ± 1kHz |
| 出力電力 | 0～500W |
| 出力インピーダンス | 50Ω (N型コネクター) |
| リモート出力制御 | 0～5V DC外部入力によるリニア制御 |
| 出力表示モニタ出力 | デジタルメーター 0～5V DCリニア出力 |
| 冷却方法 | 強制空冷 |
| 保護機能 | 過負荷保護機能 高反射による出力制限 外部インターロック |
| 質量 | 5.0 kg |
| 標準添付品 | 出力ケーブル (7m)、電源ケーブル (3m)、冷却水用インターロックケーブル (7m) |
| ラジカルビーム源 | ・イオンキャンセル電極 ・電源 |
2枚電極に±500V 印加し、イオン・電子をキャンセルします。 |
| バリアブルリーク バルブ、MFC | ガス導入系に制御機器が増設可能です。 ガス種、ガス流量などご注文時にご相談下さい。 |
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| 分光器 | 放電状態をモニターします。 | |
| RF電源 | 入力100V | 入力電源が 100Vでご使用の場合は選択して下さい。 |
| 制御ソフト | RF制御ソフト RFコントローラ | PCにより RF電源と整合器を制御し、
プラズマを精密にコントロールします。 [ PC動作環境 ] OS ： Windows XP、Vista 又は 7 CPU ： Pentium4 又は M 2GHz以上 (Core2Duo 2.6GHz 相当を推奨) ディスプレイ解像度 ： 1024×768 ピクセル以上 メモリ ： 1GB 以上 (2GB 以上を推奨) HDD 空き容量 ： 2GB 以上 ポート ： USB 2.0 ポート×2 |
| ケーブル | ケーブル延長 ※ご注文時お問い合わせ下さい。 |
電源本体、整合器間の出力、コントロールケーブルの延長 |
MBE装置において、分子線セルシャッタータイミングとラジカル源のRF電力を制御し、励起プラズマモードを適切に選択することにより、高品質な窒化化合物エピタキシャル成長膜形成が可能になります。
このシステムは設定に従いRF電源の出力を HIGH/LOW に繰り返し制御します。繰り返し時間・タイミングの設定も可能です。また、整合器を制御し ミスマッチングを防止します。
規格品以外にも、特殊仕様の製作も可能です。下記よりお問い合わせください。
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